В микросхемах оперативной памяти можно произвольно изменять порядок сигналов адресных разрядов:
В ОЗУ с параллельным доступом можно записывать информацию в любой адрес ОЗУ и читать информацию из любого адреса ОЗУ в произвольном порядке:
Время выборки адреса - задержка между изменением адреса и выдачей данных:
Для памяти LIFO требуется хранение двух кодов адреса: адрес для записи и адрес для чтения:
Для уменьшения количества адресных разрядов необходимо на нужное число старших адресных входов подать нулевые сигналы:
Задержка выборки микросхемы - время от установки входного кода адреса до установки выходного кода данных:
Задержка ПЗУ равна задержке выборки адреса микросхемы ПЗУ:
Запись в памяти типа FIFO начинается с высшего адреса памяти и производится по последовательно уменьшающимся адресам:
Каждая ячейка оперативной статической памяти представляет собой конденсатор:
Код на адресных линиях памяти представляет собой содержимое той ячейки памяти, к которой производится обращение в данный момент:
Количество адресных разрядов определяет количество ячеек памяти:
Память стекового типа работает по принципу: первым вошел - первым вышел:
Память типа LIFO требует мультиплексирования:
ПЗУ можно рассматривать как преобразователь входного кода адреса в выходной код адреса по определенному закону:
Повысить быстродействие ОЗУ можно с помощью сдвиговых регистров: