В варианте ВМ с непосредственными связями все устройства вычислительной машины подключены к магистральной шине, служащей единственным трактом для потоков команд, данных и управления:
В вычислительных машинах, построенных на основе шины, между взаимодействующими устройствами имеются непосредственные связи:
В графене атомы слоя упорядочены в гексагональную трехмерную кристаллическую решетку:
В технологии ТТЛ используются полевые транзисторы с изолированным затвором с каналами разной проводимости:
Вторичная память ЭВМ энергонезависима:
Для повышения тактовой частоты микропроцессоров используется увеличение числа слоев металлизации:
Кубит допускает два собственных состояния, обозначаемых 0 и 1, но при этом может находиться и в их суперпозиции:
Молекулярный кристалл фуллерена является проводником:
На первом уровне детализации вычислительная машина рассматривается как устройство, способное хранить и обрабатывать информацию, а также обмениваться данными с внешним миром:
Нанотехнологии - технологии, манипуляции отдельными атомами и молекулами, в результате которых создаются структуры сложных спецификаций:
Первый уровень детализации структуры ВМ - уровень общей архитектуры - предполагает представление ВМ в виде четырех составляющих: центрального процессора, основной памяти, устройства ввода/вывода и системы шин:
Результативность алгоритма состоит в возможности получения результата за конечное число шагов:
Свойство определенности алгоритма подразумевает его применимость к множеству значений исходных данных, а не только к каким-то уникальным значениям:
Сегнетоэлектрическая оперативная память - энергозависимая память:
Транзистор в отдельной РСМ-ячейке использует энергию для нагревания или охлаждения материала, меняя его состояние между аморфным и кристаллическим: