P-n переход расширяется за счет канала при увеличении обратного напряжения
Аналоговые
База
База является общим электродом для источников напряжения
Биполярный транзистор
В высоковольтных приборах имеет место лавинный пробой
В низковольтных приборах имеет место туннельный пробой
Варикап
Все элементы и межэлементные соединения выполнены в объёме или на поверхности полупроводника
Гибридные
Диод Шоттки
Дифференциальный усилитель
Идеальный операционный усилитель
Инверсное включение транзистора
Инвертирующий усилитель
Интегральные микросхемы
Коллектор
Коллекторный переход смещен в прямом направлении, а эмиттерный - в обратном
Неинвертирующий вход заземлен
Неинвертирующий усилитель
Операционный усилитель
Плёночные
Полевые транзисторы
Полевые транзисторы с изолированным затвором
Полевые транзисторы с управляющим переходом
Полупроводниковые
Полупроводниковый диод
Прибор, работающий в режиме электрического пробоя
Содержат логические элементы, триггеры и т.п.
Содержат операционные усилители, источники вторичного электропитания и др.
Стабилитрон
Стабистор
Схема с общей базой
Схема с общим коллектором
Схема с общим эмиттером
Транзисторы с индуцированным каналом
Транзисторы со встроенным каналом
Транзисторы типа "металл - диэлектрик - полупроводник"
Туннельный диод
Увеличивается сопротивление p-n перехода
Цифровые
Эмиттер
Эмиттер является общим электродом для источников напряжения