В современных ЭВМ микросхемы памяти изготавливают в основном из кремния по полупроводниковой технологии с высокой степенью интеграции элементов на кристалле:
Выпускается два основных типа флэш-памяти: NOR и NAND:
Занесение информации в микросхему ПЗУ называется ее программированием:
Использованием сегментации программ достигается уменьшение фрагментации основной памяти:
Каждый элемент памяти может хранить несколько битов информации:
Модули памяти Memory Stick используются в видеокамерах, цифровых фотоаппаратах, персональных компьютерах, принтерах и других электронных устройствах различных фирм:
ОЗУ связано с остальным микропроцессорным комплектом ЭВМ через системную магистраль:
По своим спецификациям память Toshiba FCRAM полностью совместима с памятью Samsung Network DRAM:
Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) содержит информацию, которая не должна изменяться в ходе выполнения процессором вычислительных операций:
При работе в мультипрограммном режиме оперативная память используется сплошным непрерывным массивом:
При работе в реальном режиме абсолютный (физический) адрес каждого байта является пятиразрядным шестнадцатеричным числом:
Разрядность шины данных всегда одна и та же:
У флэш-памяти отсутствуют недостатки:
Формирование сегментно-страничной структуры выполняется автоматически с помощью операционной системы: