На рисунке изображенa структура …

На рисунке изображена конструкция …

На рисунке изображена структура …

Указанная на графике точка 1 для каскада, собранного по схеме с общим эмиттером - это точка отсечки. В этом случае транзистор …

Активным режим работы транзистора называют, когда
Аналоговые интегральные схемы предназначены для
База биполярного транзистора – это
Базой называется
Биполярным транзистором называют полупроводниковый прибор
В p-n переходе при обратном включении
В активном режиме зависимость тока коллектора от тока эмиттера
В выпрямительных диодах используется свойство
В диффузных биполярных транзисторах
В дрейфовых биполярных транзисторах
В комбинированных ИС используются
В стабилитроне могут иметь место следующие типы электрического пробоя
В схеме с ОБ
В схеме с ОК
В схеме с ОЭ
Вакуумные люминесцентные индикаторы представляет собой
Варикап можно рассматривать как
Варикапы - полупроводниковые диоды, в которых
Включение p-n перехода называется обратным, если подключить к p-n переходу внешний источник напряжения так, что
Включение p-n перехода называется прямым, если подключить к p-n переходу внешний источник напряжения так, что
Внесение в полупроводник донорной примеси
Волоконно-оптические линии связи
Время жизни – это время
Входной ток логического нуля интегральных схем - это
Входной ток логической единицы интегральных схем - это
Выпрямительный диод типа КД411А с следующими справочными данными: Uпр = 1,4 В; Iобр = 700 мкА; Uобр max = 700 В; Iпр max = 2 А может работать в цепях, где амплитудное напряжение не превышает …
Выходной ток логического нуля интегральных схем – это
Выходной ток логической единицы интегральных схем - это
Газоразрядные индикаторы представляют собой
Динисторами называют полупроводниковые приборы
Динисторы, как правило, используются в
Диод Шоттки – это
Диоды классифицируются по назначению на
Диоды классифицируются по неосновному полупроводниковому материалу на
Диоды классифицируются по технологии изготовления электрического перехода на
Диоды классифицируются по типу электрического перехода на
Диоды классифицируются по физической природе процессов, обусловливающих их работу на
Дискретные фотоприемники – фотоприемники
Диффузия дырок из слоя р в слой n имеет место в
Диффузия электронов из слоя n в слой р имеет место в
Для полевого транзистора выделяют схемы включения с общим(ей)
Для схемы включения с общим эмиттером входной характеристикой является зависимость
Для схемы включения с общим эмиттером выходной характеристикой является зависимость
Для уменьшения обратного тока в полупроводниках необходимо снижать
Для участка вольт-ампер ной характеристики p-n-перехода, соответствующего пробою, характерно
Дрейфовым током является перемещение
Если отрезок времени, в течение которо го диод находится в режиме лавинного пробоя, велик, то
Если отрезок времени, в течение которого диод находится в режиме лавинного пробоя, невелик, то
Зависимость тока i от напряжения u в полупроводнике называют _________ характеристикой p-n-перехода
Затвором называют
Зоной проводимости называется свободная зона, в которой
Инверсным режим работы транзистора называют, когда
Индикаторы – это
Инжекцией называется
Инжекция начинается, когда
Интегральная схема представляет собой
Истоком называют
Канал транзистора – это
Коллектор – это
Концентрация основных носителей в полупроводнике
Лавинный пробой имеет место в (при)
Лазер представляет собой
Максимальное обратное напряжение на переходах интегральных схем - это
Малые интегральные схемы содержат до ____________________ на кристалле
МДП-транзисторы имеют сопротивление
Минимальное прямое напряжение на переходах интегральных схем - это
Многоэлементные фотоприемники – фотоприемники
Молекулярные и ионные пленки, шунтирующие р-n-переход, являются причиной
На транзисторе, включенном по схеме с ОЭ, входное сопротивление, сравнительно
Напряжение логического нуля интегральных схем – это
Напряжение логической единицы интегральных схем - это
Напряжение отпускания интегральных схем - это
Напряжение смещения интегральных схем – это значение напряжения постоянного тока на входе ис, при котором
Напряжение срабатывания интегральных схем - это
Нормальным режим работы транзистора называют, когда
Обедненный слой в приграничных областях слоя р и слоя n возникает в следствие диффузии
Обедненный слой имеет
Один из выводов биполярного транзистора называется …
Омическим называют контакт
Оптопара с открытым оптическим каналом:
Оптопара с управляемым оптическим каналом
Оптопарой называют
Оптоэлектронные датчики – это
Основная особенность полупроводников – это
Параметры, характеризующие свойства полевого транзистора усиливать напряжение, следующие
Пассивные элементы гибридных ИС могут быть выполнены
По принципу действия фотоприёмники можно подразделить на
Полевые транзисторы могут работать при температурах
Полевые транзисторы предназначены для
Полевые транзисторы – это полупроводниковые приборы
Полупроводниковый диод – это полупроводниковый прибор с
Полупроводниковый диод, напряжение на котором в области электрического пробоя слабо зависит от тока и который служит для стабилизации напряжения, называется …
Пороговое напряжение логического нуля интегральных схем - это
Пороговое напряжение логической единицы интегральных схем - это
Представляют собой законченное микроэлектронное устройство, способное выполнять функции аппаратуры, ____________ интегральные схемы
При высоких частотах сигнала в транзисторе
При отсутствии сигнала на входе МДП-транзисторы с индуцированным каналом находятся в
При прямом включении в p-n переходе
При тепловом пробое
При электрическом пробое р-n переход
Принцип работы стабилитрона основан на том, что на р-n переходе в области электрического пробоя при
Пробоем перехода называют резкое
Проводимость полупроводников в значительной степени зависит от
Простой светопровод выполняется в виде
Процесс возникновения свободного электрона и дырки в полупроводнике называется
Процесс, приводящий к исчезновению свободного электрона и дырки, называется
Режимом насыщения работы транзистора называют режим, когда
Режимом отсечки называют режим работы транзистора, когда
Режиму обеднения полевого транзистора соответствует
Режиму обогащения полевого транзистора соответствуют
Светодиоды – это излучающие полупроводниковые приборы, имеющие
Свободными называются
Связи между компонентами оптопары могут быть
Связи между компонентами оптопары могут быть
Среднее время пролета – это время
Стабилитрон – это полупроводниковый диод
Стабистор – это
Стабистором называется полупроводниковый диод
Статические входные характеристики для схемы с ОБ – это
Статические входные характеристики для схемы с ОЭ – это
Статические выходные характеристики для схемы с ОБ – это
Статические выходные характеристики для схемы с ОЭ – это
Стоком называют
Существует три разновидности оптического канала между излучателем и фотоприемником
Существуют типы полупроводниковых индикаторов
Схема включения транзистора в электрическую цепь называется схемой с общей базой, если
Схема включения транзистора в электрическую цепь называется схемой с общим коллектором, если
Схема включения транзистора в электрическую цепь называется схемой с общим эмиттером, если
Тепловой генерацией определяется
Тепловой пробой имеет место при (в)
Тепловые фотоприёмники
Тепловым называют ток, образованный
Термогенерация в области p-n-перехода оказывает су щественное влияние на ток потому, что
Тиристорами называют полупроводниковые приборы
Ток утечки на входе интегральных схем - это
Ток утечки на выходе интегральных схем - это
Тоннельным диодом называется полупроводниковый диод
Точечные диоды используют на
Точечные диоды можно использовать для выпрямления __________ переменных токов
Туннельные диоды могут работать в диапазоне температур от
Туннельные диоды обычно работают на участке __________ дифференциальным сопротивлением
Туннельный пробой имеет место в (при)
Туннельным диодом называют полупроводниковый прибор
Усиление мощности входного сигнала и уменьшение тока при работе транзистора достигается путем
Усилительные свойства биполярных транзисторов обусловлены явлениями инжекции
Фотодиоды – это полупроводниковые фотоэлектрические приборы, имеющие
Фотоприемники – это
Фоторезисторы – полупроводниковые приборы, имеющие
Фототранзистор – это полупроводниковый фотоэлектрический прибор, имеющий
Фотоэлектрические фотоприёмники
Характерной особенностью незапираемого тиристора является то, что
Цифровые интегральные схемы предназначены для
Чувствительность интегральных схем - это
Шунтирующее действие коллекторной барьерной емкости больше, чем эмиттерной, так как
Экстракцией называется
Электропреобразовательный прибор, в котором ток канала управляется электрическим полем, предназначенный для усиления мощности электромагнитных колебаний, называют …
Эмиттер – это
Эмиттером называется