Аналоговая интегральная микросхема, имеющая 400 элементов, является
Аналоговая интегральная микросхема, имеющая 800 элементов, является
Биполярный транзистор имеет количество p-n-переходов, равное
Биполярный транзистор:
В активном режиме работы транзистора
В обозначении светодиода вторая буква указывает на
В обозначении светодиода первая буква указывает на
В оптопарах, используемых для развязки, в качестве фо­топриемника обычно применяются: 1) диод; 2) тиристор; 3) резистор; 4) пара диодов; 5) конденсатор; 6) воздушный трансформатор - из перечисленного
В режиме насыщения биполярного транзистора:
В режиме насыщения транзистора
В солнечных элементах фотодиоды работают в режиме
Время спада диода зависит от: 1) времени жизни носителей; 2) барьерной емкости диода; 3) диффузной емкости диода; 4) тока, протекающего через диод - из перечисленного
Время, за которое инжек­тируемые носители электричества проходят базу, называется
Входные характеристики биполярного транзистора для схемы с общей базой характеризуют
Генератор света высокой направленности, монохроматичности и когерентности называется
Гибридная схема:
Для гибридных микросхем отдельно изготавливают такие элементы, как
Для полевого транзис­тора выделяют три схемы вклю­чения с общим(-ей): 1) за­твором; 2) базой; 3) истоком; 4) стоком; 5) коллектором; 6) эмиттером - из перечисленного
Для характеристики диодов широко используются параметры: 1) дифференциальное сопротивление; 2) максимально допустимый постоянный прямой ток; 3) коэффициент влияния нестабильности источника питания; 4) максимально допустимое обратное напряжение - из перечисленного
Достоинствами ЖКИ являются: 1) малая потребляемая мощность; 2) не требуют источников посто­роннего света; 3) хорошая четкость знаков; 4) высокая яркость - из перечисленного
Если геометрическое расстояние между валентной зо­ной и зоной проводимости достаточно мало, то возникает пробой
Если при движении до очередного соударения с атомом дырка (или электрон) приобретает энергию, достаточную для ионизации атома, то возникает пробой
Зависимость тока от освещенности при заданном напряжении на фоторезисторе называется характеристикой
Из перечисленного математическая модель диода включает: 1) ВАХ диода 2) параметры диода 3) эк­вивалентную схему диода 4) математические выражения, описывающих элементы эквивалентной схемы
Из перечисленного по типу оптического канала между излучателем и фотоприемником различают оптопары: 1) с простым светопроводом; 2) с открытым оптиче­ским каналом; 3) с составным оптическим каналом; 4) с управляемым оптическим каналом; 5) с составным светопроводом - из перечисленного
Излучающий диод, работающий в видимом диапазоне волн, называют
Инерционность полевого транзистора опре­деляется в основном
Интегральная микросхема, имеющая N элементов, имеет степень интеграции
Интегральная схема:
Интервал, в течение которого обратное напряжение на диоде при его переключении начинает быстро возрастать (по модулю), называется временем
Источником когерентного оптического излучения является
Источником некогерентного оптического излучения является
К динамическим параметрам цифровых микросхем относятся: 1) время перехода из состоя­ния логического 0 в состояние логической 1; 2) напряжение источника питания; 3) коэффициент разветвления по выходу; 4) среднее время задержки распространения сигнала; 5) средняя потребляемая мощность - из перечисленного
К основным типам индикаторов относятся: 1) полупро­водниковые; 2) твердотельные; 3) вакуумные люминес­центные; 4) плазменные; 5) газоразрядные; 6) жидкокристаллические - из перечисленного
К статическим параметрам цифровых микросхем относятся: 1) время перехода из состоя­ния логического 0 в состояние логической 1; 2) напряжение источника питания; 3) коэффициент разветвления по выходу; 4) среднее время задержки распространения сигнала; 5) средняя потребляемая мощность - из перечисленного
К фотоприемникам дискретных сигналов предъявляются требования: 1) широкий спектр; 2) большой КПД; 3) высокое быстродействие; 4) возможность фотонного накопления - из перечисленного
К эксплуатационным параметрам микросхем относятся: 1) средняя потребляемая мощность; 2) диапазон рабочих температур; 3) допустимые механические нагрузки; 4) напряжение источника питания - из перечисленного
Компонентами оптоэлектронного прибора являются: 1) излучатель; 2) усилитель; 3) оптическая среда; 4) фотоприемник; 5) источник напряжения - из перечисленного
Концентрация неосновных носителей в полупроводнике сильно зависит от
Концентрация основных носителей в полупроводнике в основном определяется
Коэффициент полезного действия оптоэлектронных приборов составляет
КПД солнечных элементов составляет
МДП-транзистор со встроенным каналом может работать в режимах: 1) обеднения; 2) обогащения; 3) насыщения; 4) отсечки - из перечисленного
На практике тиристор обычно включают током управления
На рисунке изображен
На рисунке изображен
На рисунке изображен
На рисунке изображен
На рисунке изображен
На рисунке изображен МДП-транзистор
На рисунке изображен МДП-транзистор
На рисунке изображен МДП-транзистор
На рисунке изображен МДП-транзистор
На рисунке изображен:
На рисунке изображена схема включения транзистора
На рисунке изображена схема включения транзистора
На рисунке изображена схема включения транзистора
На рисунке изображена схема включения транзистора с общим
На рисунке изображена эквивалентная схема идеального
На рисунке изображена эквивалентная схема идеального
На рисунке изображены
На схеме изображена вольт-амперная характеристика
Наклон выходных характеристик транзистора для схемы с общей базой численно определя­ют
Наличие на прямой ветви вольт-амперной характеристики участка с отрица­тельным дифференциальным сопротивлением является характерной особен­ностью
Обозначениями светодиода являются: 1) АЛ316; 2) АЛСК31; 3) АЛС331; 4) А2619 - из перечисленного
Общая емкость p-n-перехода равна
Оптоэлектронный датчик:
Оптоэлектронными приборами являются: 1) излучатели; 2) приемники излучения; 3) стабисторы; 4) диоды Шоттки - из перечисленного
Оптрон:
Основными достоинствами оптоэлектронных приборов являются: 1) большой коэффициент полезного действия; 2) наличие разнородных материалов; 3) высокая пропускная способность оптического канала; 4) идеальная электрическая развязка входа и выхода - из перечисленного
Основными недостатками оптоэлектронных приборов являются: 1) малый коэффициент полезного действия; 2) наличие разнородных материалов; 3) малая пропускная способность оптического канала; 4) плохая электрическая развязка входа и выхода - из перечисленного
Основными характеристиками лазеров являются: 1) коэффициент усиления по мощности; 2) длина волны излучения; 3) мощность и энергия; 4) интегральная чувствительность; 5) качество излучения - из перечисленного
Параметрами полевого транзистора, характеризующими его свойства усиливать напряжение, являются: 1) крутизна стокозатворной характеристики; 2) внутреннее дифференциальное сопротивление; 3) статический коэффициент передачи тока затвора; 4) статический коэффициент передачи тока истока - из перечисленного
Плёночная схема:
По конструктивно-технологическим признакам интег­ральные схемы разделяют на: 1) кристаллические; 2) гибридные; 3) полупроводниковые; 4) проводниковые; 5) пленочные - из перечисленного
По принципу действия все фотоприемники подразделяются на: 1) полупроводниковые; 2) емкостные; 3) тепловые; 4) фотонные - из перечисленного
Полевой транзистор:
Полевые транзисторы бывают: 1) с управляющим переходом; 2) с управляющим затвором; 3) с изолированным затвором; 4) с изолированным переходом - из перечисленного
Полевые транзисторы с изолированным затвором обозначаются: 1) МПО; 2) МОД; 3) МОП; 4) МДП - из перечисленного
Полупроводник n-типа:
Полупроводниковая схема:
Полупроводниковый диод, напряже­ние на котором при прямом включении мало зависит от тока, называется
Полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо­го управляется напряжением, - это
При инверсном режиме работы транзистора
При прямом включении p-n-перехода:
Причинами поверхностных утечек в области p-n-перехода являются: 1) изменения температуры; 2) поверхностные энергетические уровни; 3) молекулярные и ионные пленки; 4) изменения давления - из перечисленного
Программно-управляемое устройство, построенное на одной или нескольких СБИС, осуществляющее процесс обработки информации и управляющее им, называется
Работа, совершаемая силами поля по переносу еди­ничного положительного заряда, называется
Режим работы транзистора, соответствующий токам коллектора, сравнимым с обратным током коллектора, называют
Режим, соответствующий второму квадранту характе­ристик транзистора (uкб<0), называют
Режим, соответствующий первому квадранту характе­ристик транзистора (uкб>0, iк>0), называют
Режимами работы фотодиодов являются: 1) фотогенератора; 2) фотоусилителя; 3) фотопреобразователя; 4) фотоизлучателя - из перечисленного
Симистор подобен
Слой полупроводника, имеющий большую концентрацию основных носителей заряда, называют
Состояние ячейки памяти на основе полевого транзистора с изоли­рованным затвором мо­жет сохраняться
Схему с общим эмиттером называют так потому, что эмиттер
Тиристор:
Тиристоры, которые могут быть выключены с помощью тока управ­ления, называются
Транзистор называют биполярным, так как
Увеличение проводимости, вызванное потоком фотонов, называется
Устойчивыми состояниями фототиристора являются: 1) открыт; 2) закрыт; 3) насыщен; 4) активен - из перечисленного
Фотодиод работает в режиме фотогенератора при
Фотодиод работает в режиме фотопреобразователя при
Фотодиоды описываются характеристиками
Фотоприемники, интегрирующие результаты воздействия излучения за длительный период, называются
Фотоприемники, использующие внешний или внутренний фотоэффект, называются
Фототранзисторы описываются характеристиками
Характеристика полевого транзистора, изображенная на рисунке, называется
Характерная особенность диода Шотки:
Характерной особенностью пробоя р-n-перехода является резкое
Цифровая интегральная микросхема, имеющая 400 элементов, является
Цифровая интегральная микросхема, имеющая 800 элементов, является
Ячейки памяти на основе полевого транзистора с изоли­рованным затвором выдерживают циклов записи/стирания не менее