MRAM - запоминающее устройство с произвольным доступом, которое хранит информацию при помощи магнитных моментов:
Nano-RAM - тип энергонезависимой памяти, основывающийся на механическом позиционировании углеродных нанотрубок:
PRAM поддерживает существенно более высокую производительность, по сравнению с флеш-памятью, в областях, требующих быстрой записи:
В многобитовых ячейках различают только два уровня заряда на плавающем затворе:
В памяти типа PROM записанные данные можно уничтожить электрическим способом:
Динамические ОЗУ сформированы из элементов памяти на основе диодов:
Конструкция NAND использует классическую двумерную матрицу проводников, в которой на пересечении установлено по одной ячейке:
Принцип работы EEPROM основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области полупроводниковой структуры:
Программируемые логические матрицы характеризуются тем, что информация записывается в них однократно в процессе изготовления путем пережигания перемычек в местах пересечения строк и столбцов в матрице накопителя:
Процесс программирования в EPROM является электрически обратимым:
Процессы чтения и записи при использовании NRAM малозатратны в плане энергии по сравнению с флеш-памятью:
Работа MRAM основана на измерении токов:
Сегнетоэлектрик обладает нелинейной связью между применяемым электрическим полем и хранимым зарядом:
Стирание EPROM происходит при длине волны света короче 400 нм:
Флеш-память - разновидность полупроводниковой технологии электрически перепрограммируемой памяти: