В варикапе используется не р-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник:
В основу системы обозначений полупроводниковых диодов положен цифровой код:
В приграничных областях слоя p и слоя n возникает обедненный слой, в котором мала концентрация подвижных носителей заряда:
Время восстановления равно сумме времен рассасывания и спада:
Если отрезок времени, в течение которого диод находится в режиме лавинного пробоя, велик, то лавинный пробой переходит в тепловой:
Концентрация основных носителей зависит от температуры:
Лавинный пробой возникает, если при движении до очередного соударения с атомом дырка или электрон приобретает энергию, достаточную для ионизации атома:
Математическая модель диода - совокупность математических выражений, описывающих режим работы диода:
Обедненный слой обладает малым удельным сопротивлением:
Полупроводниковым диодом называется электропреобразовательный полупроводниковый прибор с двумя p-n-переходами, имеющий два вывода:
После начала пробоя резкое увеличение обратного напряжения сопровождается незначительным увеличением обратного тока:
Потенциальный барьер увеличивается на величину напряжения в случае прямого включения p-n-перехода:
При комнатной температуре для кремниевых приборов тепловой ток существенно превышает ток термогенерации:
При обратном включении р-n-перехода потенциальный барьер увеличивается на величину напряжения:
Примеси, атомы которых отдают электроны, можно назвать донорами:
Процесс, приводящий к исчезновению свободного электрона и дырки, называется рекомбинацией:
Стабилитрон может работать в режиме или туннельного, или теплового пробоя:
Стабистор предназначен для стабилизации больших напряжений:
Туннельные диоды на прямой ветви вольт-амперной характеристики обладают участком с отрицательным дифференциальным сопротивлением:
Явление диэлектрической релаксации состоит в том, что возникший объемный заряд практически мгновенно компенсируется зарядом подошедших свободных носителей другого знака: