n-p-n транзисторы
p-n-p транзисторы
VD на p-n переходе
VD на p†-п-i-п† структуре
VD на гетеропереходе
VD на переходе металл-полупроводник
VD Шотки
VT с индуцированным каналом
VT со встроенным каналом
Активные приборы
Биполярные транзисторы
Биполярные транзисторы (БТ)
Входные ВАХ
Выпрямительные диоды
Выходные ВАХ
Выходные ВАХ
Диоды (VD)
Комплементарная пара МДП-транзисторов (п-канальный и р-канальный)
Конденсаторы
Конденсаторы с переменной емкостью
Конденсаторы с постоянной емкостью
Лавинно-пролётный диод
МДП-транзисторы
МДП-транзисторы
Пассивные приборы
Переходные ВАХ
Полевые (униполярные) транзисторы
Полупроводниковые приборы
Прибор работает в ключевом режиме (в схеме инвертора)
Приборы, работающие в режиме обеднения
Приборы, работающие в режиме обогащения
Принцип действия основан на изменении высоты энергетичекого барьера при подаче напряжения
Принцип действия основан на туннельном эффекте
Принцип действия основан на явлении пробоя
Стабилитроны
Статические ВАХ
Статические ВАХ
Статические параметры
Статические параметры
Транзисторы
Туннельные диоды
Униполярные транзисторы
Униполярные транзисторы
Униполярные транзисторы с управляющим p-n переходом
Униполярные транзисторы с управляющим переходом металл-полупроводник