ROM - программируемое запоминающее устройство:
Базовый матричный кристалл - разновидность БИС, в которой алгоритм обработки заложен в программу и архитектуру, а параметры определяются аппаратной частью:
Базовыми ячейками базового матричного кристалла являются вентили, реализованные на структурах, использующих структуры, состоящие из биполярных и комплементарных пар полевых транзисторов:
В режиме хранения на разрядных шинах РШ существует разность напряжений, которая, изменяясь при считывании, обеспечивает сохранение распределения потенциалов на РШ:
Достоинством ЗУ на МДП транзисторах является: малая потребляемая мощность и высокая степень интеграции схем памяти:
Запись информации в любую ячейку РПЗУ на основе МНОП транзистора осуществляется с помощью управляющих импульсов из-за гистрезистного типа характеристики порогового напряжения от напряжения на затворе:
Запись информационного кода в ПЗУ осуществляется на этапе проектирования применением специальных масок:
Наибольшее распространение получили ОЗУ, хранящие информацию, соответствующую логическому нулю или единице, использующие для этого емкость p-n перехода транзистора:
Накопитель используется только для постоянного хранения никогда не изменяющейся информации:
Оперативное запоминающее устройство служит для хранения информации в десятичной системе исчисления:
Периферия матричного накопителя, называемая схемой управления, обычно состоит из дешифраторов строк и столбцов, адресных формирователей, усилителей считывания и др.:
По функциональному назначению запоминающие устройства подразделяют на оперативные запоминающие устройства (ОЗУ), постоянные запоминающие устройства (ПЗУ) и перепрограммируемые (РПЗУ):
Программируемая пользователем ИС - разновидность сверхбольшой ИС, сочетающей использование стандартных и заказных элементов:
Программируемые логические интегральные схемы второго поколения, кроме большого числа вентилей, содержат встроенную память и ядро системы-на-чипе: процессор, контроллер, сигнальный процессор:
Программируемые логические интегральные схемы первого поколения реализуются как два типа структур: вентильные матрицы и программируемые логические матрицы:
Репрограммируемые ПЗУ на основе МДП транзисторов допускают многократную перезапись и хранение информации:
РПЗУ с плавающим затвором, реализованное на МОП-транзисторах, "запоминает" запертое состояние транзистора под воздействием сильного электрического поля на затворе и очищает память под действием ультрафиолетового облучения:
Структура запоминающего устройства состоит из накопителя, представляющего собой ячейки памяти, соединенные с адресными и разрядными шинами и схемами управления:
Схема однотранзисторного динамического ЗУ при минимуме элементов и простоте требует периодической регенерации записанной информации, т. к. при считывании происходит разрушение информации: