Быстродействие памяти определяется длиной проводников, емкостной нагрузкой на шины:
В компьютерах особо ответственного применения используют память с обнаружением и исправлением ошибок - EDO DRAM:
В микросхемах EDO DRAM кроме регистра-защелки выходных данных содержится внутренний счетчик адреса колонок для пакетного цикла:
Возможен вариант настройки CMOS Setup: исправлять однократные ошибки, не уведомляя об этом систему:
Вторичный кэш - внутренний кэш процессоров:
Для микросхем DRAM время доступа Trac - минимальный период между началами соседних циклов обращения:
Для памяти SDRAM ключевыми параметрами являются: минимальное время нахождения соответствующих сигналов в высоком состоянии и время задержки между импульсами:
Для повышения точности синхронизации в DDR SDRAM данные внутри пакета переключаются по обоим фронтам синхроимпульсов:
Для реализации чередования чипсет должен иметь для банков раздельные линии управляющих сигналов:
Кэш-память - сверхоперативная память, являющаяся буфером между ОЗУ и процессором:
Микросхемы RDRAM требуют периодической подстройки выходного тока и термокалибровки:
Микросхемы SDRAM оптимизированы для пакетной передачи:
Микросхемы синхронной динамической памяти SDRAM представляют собой конвейеризированные устройства:
Наборно-ассоциативная архитектура кэша позволяет любой его строке отображать любой блок памяти:
Обозначение вида 5-3-3-3 для диаграммы пакетного цикла чтения соответствует пяти тактам ожидания перед считыванием первого элемента в цикле и трем тактам на считывание каждого из трех элементов:
Память EDO DRAM содержит регистр-защелку выходных данных, что обеспечивает конвейеризацию работы и повышение производительности при чтении:
По интерфейсу микросхемы и модули VC DRAM аналогичны RIMM:
Подсистема памяти RDRAM состоит из контроллера памяти, канала и микросхем памяти:
Политика WB позволяет уменьшить количество операций записи на шине основной памяти:
Постоянная память используется как буфер между процессором и другими абонентами системной шины:
Производительность памяти характеризуют как скорость потока записываемых или считываемых данных и измеряют в мегабайтах в секунду:
Регенерация памяти - регулярный циклический перебор ее ячеек и обращение к ним с холостыми циклами:
Ячейки динамической памяти DRAM выполнены в виде конденсаторов: