В конструкции рентгеношаблона используют в качестве подложек мембраны микронной толщины:
В проекционной электронной литографии вычерчивается рисунок топологии с помощью электронного луча малого сечения, управляемого микропроцессором:
В процессе проведения диффузии в замкнутой системе загружают пластины проводника и источники примеси в кварцевую ампулу:
В установках непосредственного экспонирования фоторезиста применяются лазеры в литографических технологических процессах:
В установках с пошаговой мультипликацией используются излучатели с вращающимися анодами:
Время облучения зависит от угла сектора облучаемой окружности барабана:
Для подготовки пластин высокого класса поверхности используется полировка пастами различных классов:
Для подготовки пластин высокого класса поверхности используется химическое травление кремния:
Для получения промежуточных фотошаблонов используются фотомультипликсоры:
К способам создания технологического рисунка на пластине с помощью электронолитографии относится последовательное экспонирование каждого элемента топологии:
Метод проекционной литографии с сохранением масштаба позволяет обрабатывать пластины диаметром до 350 мм:
Методы твердофазной эпитаксии основаны на процессах кристаллизации из раствора или расплава:
Нанесение фоточувствительной полимерной пленки на кремниевую пластину относится к этапам литографических процессов:
По разрешающей способности проекционная электронолитография превосходит сканирующую:
Проекционная электронная литография является непосредственным методом генерирования топологии с высокой разрешающей способностью:
Производство кремниевых интегральных схем основывается на технологических процессах формирования в кристалле кремния большого количества транзисторных структур:
Процесс гетероэпитаксии позволяет получать наращиваемые слои с составом, аналогичным подложке или отличающимся от нее только примесными свойствами:
Радиационно-стимулированная диффузия является разновидностью метода ионной имплантации:
Трудность получения тонких легированных слоев и редких р-n-переходов является недостатком метода ионной имплантации: