Базовый матричный кристалл является матрицей нескоммутированных элементов, электрические связи между которыми формируются в соответствии с назначением микросхемы на этапе формирования разводки:
В гибридных микросхемах пассивные элементы, межсоединения и контактные площадки выполняются методом пленочной технологии:
В ИМС в основном применяют МДП-транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом:
В матричных БИС электрические соединения выполняются с помощью одноуровневой металлизации:
В основе конструкций ИМС лежит транзисторная структура:
В репрограммируемой логической матрице возможно стирание информации при обучении ультрафиолетовыми лучами:
Гибридные ИМС являются микросхемами, представляющими собой изолирующую подложку, на поверхности которой все элементы и межсоединения сформированы в виде послойно нанесенных пленок:
Динамическая помехоустойчивость является способностью микросхемы противостоять воздействию импульсной помехи, длительность которой значительно меньше среднего времени задержки передачи сигнала через микросхему:
Для БИС степень интеграции равна 3:
ИМС на биполярных транзисторах являются технологически проще, чем ИМС на МОП-транзисторах:
ИМС обладают высокой степенью надежности, что обеспечивается большим числом внутренних соединений:
Интегральная микросхема является микроэлектронным изделием, имеющим высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов и кристаллов:
Используя ПЛМ, можно подключить к любому элементу ИЛИ любую комбинацию вертикальных шин и проинвертировать выходы любых И:
К статическим параметрам микросхемы относится средняя потребляемая мощность:
К статическим параметрам микросхемы относятся допустимое напряжение статической помехи и время задержки распространения сигнала при включении микросхемы:
К типовым параметрам и характеристикам БМК относятся число ячеек на кристалле и число периферийных контактных площадок:
Технология пленочных ИМС позволяет выполнять только активные элементы:
Транзисторы, в случае гибридных микросхем, являются компонентами микросхемы:
Флеш-память является программируемым постоянным запоминающим устройством с электрической записью и электрическим стиранием информации:
Цифровые микросхемы предназначены для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции:
Электроны уходят с плавающего затвора в область истока при записи информации в ячейку памяти флеш- памяти: