В полупроводниках p-типа мало свободных электронов с энергиями в зоне проводимости:
В полупроводниках малое число валентных электронов становится свободными:
В полупроводниках у дна валентной зоны наблюдается большое число свободных состояний:
В проводнике с током, помещенном в магнитное поле, возникает электрическое поле, силовые линии которого параллельны линиям тока:
Дырку можно представить в виде частицы, которая движется с определенной скоростью:
Натуральный логарифм проводимости зависит от обратной температуры по экспоненциальному закону:
Полупроводники имеют достаточно широкую запрещенную зону:
При p-n переходе наблюдается линейная зависимость силы электрического тока от приложенного напряжения:
При низких температурах основными носителями заряда в полупроводниках являются дырки:
При эффекте Холла направление силы Лоренца зависит от знака частицы:
С уменьшением энергии возрастает число свободных состояний в валентной зоне:
Скорости движения электронов и дырок связаны с напряженностью электрического поля:
У чистых полупроводников уровень Ферми лежит в запрещенной зоне:
Удельное сопротивление чистых полупроводников убывает с ростом температуры:
Функция Ферми—Дирака для диэлектриков и полупроводников равна нулю во всех зонах, кроме валентной и зоны проводимости: