В VLG-транзисторах с индуцированным каналом канал создается в процессе изготовления:
В газодинамических лазерах происходит возбуждение среды в результате преобразования внутренней энергии в световую:
Канал транзистора является пассивной частью транзистора:
Крутизна характеризует управляющее действие истока:
МДП-транзисторы относятся к транзисторам с изолированным затвором:
МОП-транзисторы - транзисторы с изолированным затвором:
Общий электрод от контактов областей называется стоком:
Оптотранзистор уступает по быстродействию обычным транзисторам:
Основными статическими характеристиками транзистора с управляющим p-n-переходом являются выходные и характеристики прямой передачи:
Параметром транзистора с управляющим p-n- переходом является крутизна стокозатворной характеристики:
Параметры МДП-транзисторов зависят в большей мере от температуры, чем параметры биполярных транзисторов:
Параметры фотодиодов зависят от температуры:
Полупроводниковые приборы, электрическое сопротивление которых изменяется в зависимости от интенсивности спектрального состава падающего излучения, можно отнести к фоторезисторам:
Приборы, в которых лучистая энергия преобразуется в электрическую, являются фотоэлектрическими:
Светодиоды обладают малой инерционностью:
Светодиоды преобразуют электрическую энергию в энергию когерентного светового излучения:
Сигнализация является представлением результатов контроля или измерений:
Усилительные свойства полевых транзисторов обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал:
Фотодиод работает только в режиме фотопреобразователя:
Чувствительность фототранзистора ниже чувствительности фотодиода: