В выпрямительных диодах используется свойство односторонней проводимости p-n перехода:
В зоне проводимости при нуле градусов Цельсия могут находиться электроны:
Варикапы - полупроводниковые диоды, работающие в режиме электрического пробоя:
Варикапы работают в режиме электрического пробоя:
Вероятность нахождения дырки на том или ином энергетическом уровне при заданной температуре можно определить с помощью распределения Ферми-Дирака:
Время, в течение которого обратный ток изменяется от максимального значения до установившегося, является временем жизни носителей заряда:
Диод, сконструированный на основе вырожденного полупроводника, является туннельным:
Емкость, обусловленная перераспределением зарядов в переходе, является диффузионной
Изменение диффузного тока происходит по экспоненциальному закону:
На высоту потенциального барьера влияет концентрация примесей:
Область внутри монокристалла полупроводника на границе раздела его двух сред с разным типом примесной электропроводности можно называть p-n переходом:
Перемещение неосновных носителей в направлении поля p-n перехода, которое для них является ускоряющим, можно назвать диффузионным током:
Полупроводники могут быть жидкими:
Потенциальный барьер, полученный на контакте металл - полупроводник, является барьером Шотки:
Примеси, атомы которых способны при возбуждении принять валентные электроны соседних атомов, создав в них дырку, относятся к донорным примесям:
Процесс воссоединения электрона и дырки является процессом генерации:
Расстояние от потолка валентной зоны до акцепторного уровня называется энергией ионизации (активации) акцепторов:
Электрический пробой сопровождается разрушением кристаллической структуры полупроводника:
Электропроводность собственного полупроводника, возникающая за счет нарушения ковалентных связей, называется примесной электропроводностью: